眾所周知，晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，是由硅晶棒在經(jīng)過研磨、拋光、及切片后，形成的硅晶圓片。然而，在實(shí)際導(dǎo)片過程中，難免會(huì)存在一些邊緣損傷，因此，目前企業(yè)所使用的導(dǎo)片機(jī)中，取料裝置將晶圓從取料臺(tái)中取下后放置在邊緣時(shí)校準(zhǔn)器中，在對(duì)晶圓表面檢測(cè)的同時(shí)，也需要進(jìn)行邊緣校準(zhǔn)，校準(zhǔn)完畢后再由取料裝置將晶圓從尋邊器中取下后送至取料臺(tái)中并記錄位置。

邊緣式校準(zhǔn)器包括設(shè)置在校準(zhǔn)區(qū)內(nèi)的校準(zhǔn)座、定位單元、及校準(zhǔn)單元，其中定位單元包括能夠上下升降的定位組件和能夠沿著晶圓徑向同時(shí)收攏或張開的夾持組件，其中定位組件形成有自上而下口徑逐漸變小的晶圓定位區(qū)；夾持組件包括繞著晶圓定位區(qū)的中心分布的多根夾臂、用于驅(qū)動(dòng)多根夾臂同步運(yùn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)件，其中每根夾臂上形成有與晶圓邊緣點(diǎn)或線接觸的夾槽；校準(zhǔn)單元包括能夠?qū)A的邊緣進(jìn)行校準(zhǔn)的校準(zhǔn)組件、以及驅(qū)動(dòng)組件。

晶圓劃片是半導(dǎo)體芯片制造工藝流程中的一道的工序，在晶圓制造中屬于后道工序。將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片（晶粒），稱為晶圓劃片。Si、SiC、Sapphire、Inp等材料被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓的襯底材料。隨著晶圓集成度大規(guī)模提高，晶圓趨向于輕薄化，傳統(tǒng)的很多加工方式已不再適合。于是部分工序引入了激光切割技術(shù)。

由于激光在聚焦上的優(yōu)點(diǎn)，聚焦點(diǎn)可小到亞微米數(shù)量級(jí)，從而對(duì)晶圓的微處理更具有優(yōu)勢(shì)，可以進(jìn)行小部件的加工。即使在不高的脈沖能量水平下，也能得到較高的能量密度，有效進(jìn)行材料加工。激光劃片屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其它損壞現(xiàn)象。

晶圓制造廠把這些多晶硅融解，再在融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長(zhǎng)晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。

晶圓的集成電路制造，為了降低器件熱阻、提高工作散熱及冷卻能力、便于封裝，在硅晶圓正面制作完集成電路后，需要進(jìn)行背面減薄。晶圓的背面研磨工藝，是在晶圓的正面貼一層膜保護(hù)已經(jīng)制作好的集成電路，然后通過研磨機(jī)來進(jìn)行減薄。晶圓背面研磨減薄后，表面會(huì)形成一層損傷層，且翹曲度高，容易破片。為了解決這些問題，需要對(duì)晶圓背面進(jìn)行濕法硅腐蝕，去除損傷層，釋放晶圓應(yīng)力，減小翹曲度及使表面粗糙化。使用槽式的濕法機(jī)臺(tái)腐蝕時(shí)，晶圓正面及背面均與腐蝕液接觸，正面貼的膜耐腐蝕，從而保護(hù)正面的集成電路。使用單片作業(yè)的濕法機(jī)臺(tái)，晶圓的正面通常已被機(jī)臺(tái)保護(hù)起來，不會(huì)與腐蝕液或者腐蝕性的氣體有接觸，可以撕膜后再進(jìn)行腐蝕。

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