通過設(shè)置設(shè)備箱體、卡匣定位結(jié)構(gòu)、檢測機構(gòu)和推料機構(gòu),使得在晶圓片傳送時能夠通過卡匣定位結(jié)構(gòu)對卡匣進行定位，然后再通過檢測機構(gòu)檢測卡匣內(nèi)晶圓片的位置，避免晶圓片錯位，后通過推料機構(gòu)實現(xiàn)卡匣的傳送,整個傳送過程簡單、易操作，實現(xiàn)自動化傳片,且能夠?qū)A片進行檢測避免晶圓片錯位造成傳片損壞。

晶圓經(jīng)過前道工席后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產(chǎn)效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復(fù)雜。

晶圓切割時，經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學放大和對準運算的設(shè)備。當用窄跡道切割晶圓時，應(yīng)選擇盡可能薄的刀片?？墒?，很薄的刀片(20um)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對于50~76um跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30um。

刀痕，自動校準基準線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進行測高并同步切割作業(yè)時對切割刀刃進行實時檢測。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對加工物進行清洗。半自動劃片機LX3356機臺可作業(yè)8時wafer，含自動光學補償、聚焦及自特征點功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測量、基準線補償調(diào)整等?？勺詣訖z測切割刀痕，自動校準基準線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進行測高并同步切割作業(yè)時對切割刀刃進行實時檢測。
切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認真的刀片選擇和的工藝控制能力。
通常來說，對于小芯片減薄劃片時使用UV膜，對于大芯片減薄劃片時使用藍膜，因為，UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時間和強度來控制，防止芯片在抓取的過程中漏抓或者抓崩。若芯片在減薄劃切實之后，直接上倒封裝標簽生產(chǎn)線，那么好使用UV膜，因為倒封裝生產(chǎn)線的芯片一般比較小，而且設(shè)備的頂針在藍膜底部將芯片頂起。如果使用較大粘性剝離度的藍膜，可能使得頂針在頂起芯片的過程中將芯片頂碎。

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