晶圓是半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。晶圓的原始材料是硅，而硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是由硅元素加以純化（可達(dá)到99.999%），接著將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，之后經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等一系列程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。硅晶圓的制造可被歸納為三個(gè)基本步驟，分別是硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型。目前晶圓制造過程涉及的材料有硅片、掩膜版、電子氣體、光刻膠配套試劑、CMP材料、工業(yè)化學(xué)品、光刻膠、靶材等等，其中硅片在各材料占比為31%，是晶圓的重要組成部分

現(xiàn)有晶圓隔道通常采用裂片刀沿著切割線進(jìn)行切開,使得容易造成芯片隔道交錯(cuò)區(qū)域邊緣崩裂的同時(shí)產(chǎn)生的碎屑不好排出,并且現(xiàn)有的晶圓在裂片時(shí),由于受到不同方向的力進(jìn)行裂片,裂片效率較低,同時(shí)容易讓芯片發(fā)生位移,從而產(chǎn)生劃痕造成損傷。

晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針，與晶粒上的接點(diǎn)接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成立的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被淘汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免徒增制造成本。

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