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這種渦流同樣具有中頻電流的一些性質(zhì)，即，金屬自身的自由電子在有電阻的金屬體里流動(dòng)要產(chǎn)生熱量。采用三相橋式全控整流電路將交流電整流為直流電，例如據(jù)把一根金屬圓柱體放在有交變中頻電流的感應(yīng)圈里，金屬圓柱體沒有與感應(yīng)線圈直接接觸，通電線圈本身溫度已很低，可是圓柱體表面被加熱到發(fā)紅，甚熔化，而且這種發(fā)紅和熔化的速度只要調(diào)節(jié)頻率大小和電流的強(qiáng)弱能實(shí)現(xiàn)。如果圓柱體放在線圈，那么圓柱體周邊的溫度是一樣的，圓柱體加熱和熔化也沒有產(chǎn)生有害氣體、強(qiáng)光污染環(huán)境。中頻爐廣泛用于有色金屬的熔煉[主要用在熔煉鋼、合金鋼、特種鋼、鑄鐵等黑色金屬材料以及不銹鋼、鋅等有色金屬材料的熔煉，也可用于銅、鋁等有色金屬的熔煉和升溫，保溫，并能和高爐進(jìn)行雙聯(lián)運(yùn)行。]、藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，提拉式單晶爐技術(shù)參數(shù)1、電源電壓：380VAC±5%2、電源頻率：50HZ 3、電源相數(shù)：3相3線制4、變壓器容量：190KVA5、加熱器加熱功率：160KW6、加熱溫度：1600℃7、加熱器加熱電壓：60V8、冷爐極限真空度：＜a9、晶體直徑：￠6〞～￠8〞10、熔料量 ：90Kg11、主爐室尺寸：φ900×1250mm上爐室尺寸：φ900×900mm下爐室尺寸：φ900×350mm12、翻板閥通徑：φ280mm13、封頭爐蓋高度：410mm14、副爐室尺寸：φ280×250015、籽晶轉(zhuǎn)速范圍：1～40rpm16、籽晶拉速范圍：0.2～8mm/min17、籽晶快速：≥350mm/min18、籽晶在爐內(nèi)有效行程：3500mm19、籽晶在副室內(nèi)有效行程：2100mm20、坩堝升速范圍：0.02～1mm/min21、坩堝快速：≥100mm/min22、坩堝在爐內(nèi)有效行程：400mm23、坩堝轉(zhuǎn)速范圍：1～30rpm24、兩個(gè)電極孔孔距：480mm 25、耗水量：25m3/h26、主機(jī)占地面積：2500x2000mm27、主機(jī)高度：6800mm28、主機(jī)重量：約7500Kg

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本文從晶體生長物理基礎(chǔ)和流體力學(xué)的基本理論出發(fā),結(jié)合硅單晶制備過程中熱質(zhì)輸運(yùn)的分析,采用實(shí)驗(yàn)和數(shù)值分析相結(jié)合的方法,以大直徑硅單晶制備為主要研究對(duì)象,研究熱場結(jié)構(gòu)、控制參數(shù)和外加磁場對(duì)大直徑硅單晶生長的影響。通過數(shù)值分析的手段,研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)和控制參數(shù)對(duì)晶體生長特性的影響,確定了晶體制備的工藝條件;采用28inch和32inch熱場制備出400mm和45

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