| 供應(yīng)商 | 上海增雨實(shí)業(yè)有限公司 店鋪 |
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| 認(rèn)證 | |
| 報(bào)價(jià) | 人民幣 1500000.00元 |
| 關(guān)鍵詞 | 合慶鎮(zhèn)鉭塊回收,新城鉭塊回收,七寶鎮(zhèn)鉭塊回收,浦江鎮(zhèn)鉭塊回收 |
| 所在地 | 上海市松江區(qū)泖港鎮(zhèn)中厙路167號(hào)196室 |
8年
當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品
但鉭在熱的中能被腐蝕，在150℃以下，鉭不會(huì)被腐蝕，只有在此溫度才會(huì)有反應(yīng)，在175度的中1年，被腐蝕的厚度為0.0004毫米，將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年，表層僅損傷0.006毫米
鉭是稀有金屬礦產(chǎn)資源之一，是電子工業(yè)和空間技術(shù)發(fā)展不可缺少的戰(zhàn)略原料
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