電子產(chǎn)品銷毀的方法：
1、物質(zhì)利用又稱物質(zhì)回收利用，指通過物理轉(zhuǎn)換、化學(xué)抓換（包括化學(xué)改性及熱解、氣化等熱轉(zhuǎn)換）和生物轉(zhuǎn)換、實(shí)現(xiàn)垃圾的物質(zhì)屬性的重復(fù)利用、再造利用和再生利用；包括傳統(tǒng)的物質(zhì)資源回收利用和易腐有機(jī)垃圾轉(zhuǎn)換成物質(zhì)資源；
2、能量利用又稱能量回收利用，指將垃圾的內(nèi)能轉(zhuǎn)換成熱能、電能；包括焚燒發(fā)電，供熱和熱電聯(lián)產(chǎn)；
3、填埋處理指對(duì)不能進(jìn)行資源化處理（包括物質(zhì)利用和能量利用）的無用垃圾進(jìn)行填埋處理；

報(bào)廢的電子產(chǎn)品怎么銷毀更環(huán)保：
企業(yè)對(duì)廢舊電子產(chǎn)品拆解再利用的行為，國(guó)家也制定了相應(yīng)的法律法規(guī)來限制和制約，主要包括：對(duì)廢舊電子產(chǎn)品回收后，須交給有的企業(yè)進(jìn)行拆解，允許再加工修復(fù)作為二手產(chǎn)品銷售，但符合再利用的標(biāo)準(zhǔn)，并且要有標(biāo)識(shí)說明是再利用產(chǎn)品，以達(dá)到誰銷售誰負(fù)責(zé)的目的。

電子產(chǎn)品一般要做哪些測(cè)試
1、低溫試驗(yàn)
按GB/T2423.1—89《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法低溫試驗(yàn)》；
GB/T2423.22—87《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法溫度變化試驗(yàn)方法》
進(jìn)行低溫試驗(yàn)及溫度變化試驗(yàn)。
溫度范圍：-70℃～10℃。
2、高溫試驗(yàn)
按GB/T2423.2—89《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法高溫試驗(yàn)》；
GB/T2423.22—87《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法溫度變化試驗(yàn)方法》
進(jìn)行高溫試驗(yàn)及溫度變化試驗(yàn)。
溫度范圍：10℃～210℃。
3、濕熱試驗(yàn)
按GB/T2423.3—93《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法恒定濕熱試驗(yàn)》；
GB/T2423.4—93《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法交變濕熱試驗(yàn)》
進(jìn)行恒定濕熱試驗(yàn)及交變濕熱試驗(yàn)。
濕度范圍：30%RH～RH。
4、霉菌試驗(yàn)
按GB/T2423.16—90《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法長(zhǎng)霉試驗(yàn)》進(jìn)行霉菌試驗(yàn)。
5、鹽霧試驗(yàn)
按GB/T2423.17—93《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法鹽霧試驗(yàn)》進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)。
6、低氣壓試驗(yàn)
按GB/T2423.21—92《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法低氣壓試驗(yàn)》；
GB/T2423.25—92《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法低溫/低氣壓試驗(yàn)》；
GB/T2423.26—92《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法高溫/低氣壓試驗(yàn)》；
進(jìn)行低氣壓試驗(yàn)，高、低溫/低氣壓試驗(yàn)。范圍：70℃～100℃0～760mmHg20%～95%RH。
7、振動(dòng)試驗(yàn)
按GB/T2423.10—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法振動(dòng)試驗(yàn)》進(jìn)行振動(dòng)試驗(yàn)。
頻率范圍（機(jī)械振動(dòng)臺(tái)）：5～60Hz（定頻振動(dòng)5～80Hz），大位移振幅3.5mm（滿載）。頻率范圍（電磁振動(dòng)臺(tái)）：5～3000Hz，大位移25mmP-P。
8、沖擊試驗(yàn)
按GB/T2423.5—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法沖擊試驗(yàn)》進(jìn)行沖擊試驗(yàn)。沖擊加速度范圍：（50～1500）m/s2。
9、碰撞試驗(yàn)
按GB/T2423.6—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法碰撞試驗(yàn)》進(jìn)行碰撞試驗(yàn)。
10、跌落試驗(yàn)
按GB/T2423.7—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法傾跌與翻到試驗(yàn)》；
GB/T2423.8—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法自由跌落試驗(yàn)》進(jìn)行跌落試驗(yàn)。

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