構(gòu)成同軸衰減器的基本材料是電阻性材料。通常的電阻是同軸衰減器的一種基本形式,由此形成的電阻衰減器網(wǎng)絡(luò)就是集總參數(shù)衰減器。通過一定的工藝把電阻材料放置到不同波段的射頻/微波電路結(jié)構(gòu)中就形成了相應(yīng)頻率的衰減器。如果是大功率衰減器,體積肯定要加大,關(guān)鍵就是散熱設(shè)計。隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展,在許多場合要用到快速調(diào)整衰減器。這種衰減器通常有兩種實現(xiàn)方式,一是半導(dǎo)體小功率快調(diào)衰減器,如PIN管或FET單片集成衰減器;二是開關(guān)控制的電阻衰減網(wǎng)絡(luò),開關(guān)可以是電子開關(guān),也可以是射頻繼電器。
主要用途
1、控制功率電平:在微波超外差接收機(jī)中對本振輸出功率進(jìn)行控制,獲得佳噪聲系數(shù)和變頻損耗,達(dá)到佳接收效果。在微波接收機(jī)中,實現(xiàn)自動增益控制,改善動態(tài)范圍。
2、去耦元件:作為振蕩器與負(fù)載之間的去耦合元件。
3、相對標(biāo)準(zhǔn):作為比較功率電平的相對標(biāo)準(zhǔn)。
4、用于雷達(dá)抗干擾中的跳變衰減器:是一種衰減量能突變的可變衰減器,平時不引入衰減,遇到外界干擾時,突然加大衰減。
從微波網(wǎng)絡(luò)觀點(diǎn)看,同軸衰減器是一個二端口有耗微波網(wǎng)絡(luò)。它屬于通過型微波元件。
當(dāng)輸入功率從10mW變化到額定功率時,衰減量的變化系數(shù)表示為dB/(dB*W)。衰減量的變化值的具體算法是將系數(shù)乘以總衰減量功率(W)。如:一個功率容量50W,標(biāo)稱衰減量為40dB的衰減器的功率系數(shù)為0.001dB/(dB*W),意味著輸入功率從10mW加到50W時,其衰減量會變化0.001*40*50=2dB之多!
這種衰減器利用光在金屬薄膜表面的反射光強(qiáng)與薄膜厚度有關(guān)的原理制成。如果玻璃襯底上蒸鍍的金屬薄膜的厚度固定,就制成固定光衰減器。如果在光纖中斜向插入蒸鍍有不同厚度的一系列圓盤型金屬薄臘的玻璃襯底,使光路中插入不同厚度的金屬薄膜,就能改變反射光的強(qiáng)度,即可得到不同的衰減量,制成可變衰減器。
連接頭形式和連接尺寸:
連接頭形式分為BNC型、N型、TNC型、SMA型、SMC型等,同時連接頭形狀具有陰、陽兩種。
連接尺寸分為公制與英制形式,以上根據(jù)使用要求決定;如果連接頭的型式多樣需要連接,可以配用相應(yīng)的連接轉(zhuǎn)換頭,例:BNC轉(zhuǎn)N型頭等。
NAIGQ同軸衰減器可能是一種特定品牌或型號的同軸衰減器,但由于“NAIGQ”并非一個廣為人知的品牌名(在提供的參考信息中未提及此品牌),因此我將基于同軸衰減器的一般特性和參數(shù)來介紹它可能具備的特點(diǎn)。
同軸衰減器是一種能量損耗性射頻/微波元件,主要用于減少射頻(RF)信號傳輸系統(tǒng)中的信號功率水平。這種裝置對于通信系統(tǒng)、雷達(dá)、測試測量以及其他RF應(yīng)用至關(guān)重要。其基本構(gòu)造通常包括連接器、衰減芯片和散熱器等部分,其中衰減芯片是核心組件,負(fù)責(zé)將部分信號能量轉(zhuǎn)化為熱能,從而實現(xiàn)信號強(qiáng)度的降低。
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