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進(jìn)口代理英飛凌模塊FS150R12KT4

更新時(shí)間0:2024-11-12 信息編號:9f38dn4dc8b978 舉報(bào)維權(quán)
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供應(yīng)商 武漢仕谷電氣有限公司 店鋪
認(rèn)證
報(bào)價(jià) 面議
關(guān)鍵詞 FS150R12KT4,FP75R12N2T7,FF1400R12IP4,FF600R12ME4
所在地 湖北武漢江夏財(cái)富一路
曾潤澤
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產(chǎn)品詳細(xì)介紹

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。

所屬分類:電力電子/IGBT模塊

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關(guān)于武漢仕谷電氣有限公司

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主營產(chǎn)品: igbt模塊,lem傳感器

公司介紹:公司一直致力于功率半導(dǎo)體及其配套的電力電子元器件的代理銷售,主營富士、英飛凌、宏微、比亞迪、斯達(dá)、IR、IXYS、SEMIKRON等公司的IGBT模塊、IPM、晶閘管、整流橋、MOSFET、快恢復(fù)管二極管等功率器件;其他配套產(chǎn)品有國產(chǎn)之光散熱風(fēng)扇、S臺灣明緯電源、力容電容;兼營產(chǎn)品有電源模塊、變頻器和低壓電器、屏蔽材料等等。目前銷售的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于UPS、逆變電焊機(jī)、變頻器、高頻感應(yīng)加熱電源、逆變電源、程控交換機(jī)電源、電力操作電源、電鍍電源,超聲波電源、激光電源、光伏電源、風(fēng)電逆變器、電動汽車電驅(qū)、充電樁、電力推進(jìn)系統(tǒng)等設(shè)備場合

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