新一代比老一代：頻率更高、容量更大、速度更快、電壓更低，DDR4加快普及中，成為市場主流，不同代內(nèi)存條可通過內(nèi)存上的標(biāo)簽貼紙或看防呆口位置就可以分辨。
內(nèi)存時序，就是CPU從內(nèi)存中找到數(shù)據(jù)的延時時間，相同規(guī)格下（DDR代數(shù)、頻率等等），時序越小，延時越低，內(nèi)存性能越好。
閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是按區(qū)塊擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快，所以被稱為Flash erase EEPROM，或簡稱為Flash Memory。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態(tài)隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。
眾所周知，電子呆料原裝芯片庫存的回收不僅防止了資源的浪費，降低了電子污染的出現(xiàn)頻率，而且也不會因隨意丟棄而危害環(huán)境，廢舊電子料可以加強對電子廢物的回收再利用，對于防止和減少環(huán)境污染，提升資源利用水平，推動經(jīng)濟(jì)循環(huán)的發(fā)展，完善再生資源回收，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展都具有重要意義。
電子回收
集成電路的技術(shù)水平和發(fā)展規(guī)模是衡量一個國家產(chǎn)業(yè)競爭力和綜合國力的重要標(biāo)志之一，芯片的研發(fā)與生產(chǎn)能力，也是衡量一個國家創(chuàng)新實力的重要指標(biāo)。
芯片制造，要將沙子，經(jīng)過篩選和熔煉，能夠冶煉出高純度的硅（Si），制作成硅錠，然后將硅錠切割成薄片，也就是晶圓（Wafer）開始，到后測試、切割、封裝，就成為了我們平時能夠看到的CPU芯片。整個制作流程，將近5000道工序，把數(shù)億個晶體管，在一片只有指甲蓋大小的硅晶片上制造出來，還要進(jìn)行復(fù)雜的邏輯設(shè)計，難度不亞于把全國的路網(wǎng)，規(guī)劃到這一點點的空間里面。
據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2018年半導(dǎo)體總銷量預(yù)計可達(dá)4510億美元(約2.86萬億元)，同期增長9.5%。中國是全世界大的半導(dǎo)體消費國，占全球芯片需求量的超50%。
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