當超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當務之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品
鉭還有非常出色的化學性質(zhì)，具有的抗腐蝕性，無論是在冷和熱的條件下，對鹽酸、及“王水”都不反應。
鉭的硬度較低，并與含氧量相關(guān)，普通純鉭，退火態(tài)的維氏硬度僅有140HV [1] 。它的熔點高達2995℃
在化工、電子、電氣等工業(yè)中，鉭可以取代過去需要由貴重金屬鉑承擔的任務，使所需費用大大降低
廢鉭的主要礦物有：鉭鐵礦[(Fe,Mn)(Ta,Nb)2O6]、重鉭鐵礦(FeTa2O6)、細晶石[(Na,Ca)Ta2O6(O,OH,F)]和黑稀金礦[(Y,Ca,Ce,U,Th)(Nb,Ta,Ti)2O6]等。煉錫的廢渣中含有廢鉭，也是廢鉭的重要資源。
一般來說，廢鉭材回收的主要步驟包括收集、分類、預處理、再生和再利用等環(huán)節(jié)。其中，預處理是一個關(guān)鍵步驟，它包括去除雜質(zhì)和清洗等過程，以使廢鉭材能被重新利用。
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