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名 稱:雙通道先進功率MOS型 號:VS3640DS 封 裝:SOP-8 最小包裝:3000PCS/盤 品 牌:威兆/Vanguard Semiconductor 輸入電壓范圍:30V,9A 特 點:雙路N通道5V邏輯電平控制 ..08月16日
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2N90 Datasheet 2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N90 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide costumers with plana..01月17日
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NCE3010S NCE3010場效應管MOS管 30V/10A 代理原裝 描述 NCE3010S使用先進的海溝技術和 較低的設計提供良好的RDS(上)門。它 可用于各種各樣的應用程序。 一般特征 ●V = 30 V,I = 10 RDS..08月01日
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0.10元尋 場效應管 回收公司 回收場效應管 深圳銘盛電子科技有限公司專業(yè)收購電子元器件,回收電子呆料,收購 IC , 回收三極管,回收貼片 IC ,回收內(nèi)存芯片,收購電腦方面電子料,回收07月20日
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1000.00元回收場效應管,MOS管,電源IC 20% 服務大眾、信守承諾、估價、方便快捷、嚴格保密為原則 回收庫存電子電工產(chǎn)品電子料 回收電子料編碼器模塊 回收LED光電設備電子料 ..10月01日
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深圳市三佛科技有限公司供應20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場效應管,原裝,庫存現(xiàn)貨SLD20N06T : 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場效應管品牌:美浦森型號:SLD20N06TVDS: 60VIDS ..10月01日
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深圳市三佛科技有限公司供應60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場效應管,原裝,庫存現(xiàn)貨SLD60N02T : 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場效應管品牌:美浦森型號:SLD60N02TVDS: 20VIDS ..10月01日
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深圳市三佛科技有限公司供應80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場效應管,原裝,庫存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù):60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌:美浦森型號: SLD80N06T電壓:60V 電流:8..10月01日
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場效應管在不同技術文獻和應用場景中可能有以下多種名稱或分類:1. ?按全稱與縮寫命名??MOSFET?(金屬氧化物半導體場效應晶體管):其英文全稱縮寫,強調(diào)金屬-氧化物-半導體的結構特性??MOS管..10月01日
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晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能,晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測項目外觀質(zhì)量、性能測試、功..10月01日
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0.10元PMOS 場效應管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..10月01日
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場效應管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應場效應管CMOS, NTGD4167CT1G ,品牌:安森美封裝:SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應可提供樣品測試和技術支持。如需更多了解更多型號及詳細信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..10月01日
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31.00元場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————09月26日
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2.00元MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關速度、低導通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導體制造工藝,能夠在高頻率下保持低損耗,是電源管理、電機驅(qū)動、開關電源及高速信號切換等應用的理想選..09月11日
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2.00元**低導通電阻**:MT3287/B采用的工藝設計,實現(xiàn)了極低的導通電阻,有效降低了電路中的能量損耗,提高了整體效率。 2. **高開關速度**:得益于其快速的開關響應能力,MT3287/B在高頻應用中..09月11日
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2.00元MT6808D是一款基于半導體工藝制造的N溝道場效應晶體管(N-channel MOSFET),其設計旨在提供低導通電阻、高開關速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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2.00元MT3287-N溝道場效應管,作為一種增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),其核心優(yōu)勢在于其高電流承載能力、低導通電阻以及快速的開關速度。該器件采用的半導體制造工藝,確保了在高溫..07月29日
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2.00元MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應用設計的N溝道場效應晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流(ID)、漏源擊穿電壓(VDS)、柵源閾值電壓(VGS(th))以及導通電阻(RDS(on))等。這些參..07月29日
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面議MT6808D是一款基于半導體工藝制造的N溝道場效應晶體管(N-channel MOSFET),其設計旨在提供低導通電阻、高開關速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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