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0.05元二極管B5819W參數(shù) 產(chǎn)品簡介 PD功率:250mW VRM電壓 :40V IO電流:1A VF大正向電壓 :0.9v Test Condition IF(A)電流 :3A IR大峰值反向電流 :1uA Test Condition VR電壓:40V trr反..09月23日
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KMB110F是鉅興生產(chǎn)的一款迷你型肖特基整流橋堆二極管 肖特基橋堆二極管 具有以下特點:小體積封裝 MBF平腳;焊接方便,拆卸簡單;超快反向恢復時間;低功率損耗,高效率;低正向電壓,11月09日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..10月03日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..10月03日
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肖特基二極管在電路中有著廣泛的應用,包括但不限于整流、續(xù)流、保護和小信號檢波等功能。它特別適用于低電壓、大電流的電路,如驅(qū)動器、開關(guān)電源、變頻器和逆變器等。這些領(lǐng)域中,肖特基二極..10月03日
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對于點接觸型肖特基二極管,它在微波通信電路方面具有重要地位。此外,鋁硅肖特基二極管在高頻電路中扮演著檢波和鑒頻的角色,取代了傳統(tǒng)的檢波二極管。需要注意的是,肖特基二極管的反向耐壓..10月03日
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肖特基二極管的優(yōu)點:器件本身具有很高的開關(guān)頻率,而且它的反向擊穿電壓比較的低。同時因為技術(shù)的不斷改進,對新型材料的使用,使得肖特基二極管本身充滿了生機以及很強的競爭力。肖特基二極..10月03日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件,不存在少數(shù)載..10月03日
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肖特基二極管,一種與傳統(tǒng)PN結(jié)二極管不同的電子元件,借助金屬和半導體之間的勢壘效應產(chǎn)生整流效果。在電子學中,這種接觸被稱為“金屬半導體結(jié)”,簡稱肖特基勢壘二極管,通常被稱為肖特基二極..10月03日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件,不存在少數(shù)載..10月03日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件,不存在少數(shù)載..10月03日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..10月03日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件,不存在少數(shù)載..10月03日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..10月03日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件,不存在少數(shù)載..10月03日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..10月03日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..10月03日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件,不存在少數(shù)載..10月03日
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SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載..10月03日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件,不存在少數(shù)載..10月03日
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