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1000.00元回收?qǐng)鲂?yīng)管,MOS管，電源IC 20％ 服務(wù)大眾、信守承諾、估價(jià)、方便快捷、嚴(yán)格保密為原則 回收庫(kù)存電子電工產(chǎn)品電子料 回收電子料編碼器模塊 回收LED光電設(shè)備電子料 ..08月26日 -
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管品牌：美浦森型號(hào)：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..08月26日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管品牌：美浦森型號(hào)：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..08月26日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號(hào)： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..08月26日
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MT30046S是n溝道功率MOSFET特性?類型Ros(.n)=10V,ID=30A?。極低Ros(on)和高p(p)的導(dǎo)電溝槽技術(shù)。MT30046S n溝道功率MOSFET特性?類型Ros (. n)=10V,ID =20A?。極低Ros(on)和高p (p)的導(dǎo)電溝槽..08月25日
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晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測(cè)項(xiàng)目外觀質(zhì)量、性能測(cè)試、功..08月25日
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中國(guó)耗盡型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)投資策略及前景趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告2024-2030年 ★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★【全新修訂】：2024年6月【出版機(jī)構(gòu)】：中智信投研究網(wǎng)【內(nèi)容部分有刪減·詳細(xì)可參中智信投研究網(wǎng)..08月25日
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中國(guó)N型金氧半場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)及前景深度研究報(bào)告2024-2030年★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★【全新修訂】：2024年6月【出版機(jī)構(gòu)】：中智信投研究網(wǎng)【內(nèi)容部分有刪減·詳細(xì)可參中智信投研究網(wǎng)出..08月25日
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場(chǎng)效應(yīng)管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應(yīng)可提供樣品測(cè)試和技術(shù)支持。如需更多了解更多型號(hào)及詳細(xì)信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..08月26日
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PMOS 場(chǎng)效應(yīng)管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導(dǎo)通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..08月26日
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MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導(dǎo)通電阻（RDS(on)）等。這些參..07月29日
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MT3287-N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，作為一種增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），其核心優(yōu)勢(shì)在于其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻以及快速的開關(guān)速度。該器件采用的半導(dǎo)體制造工藝，確保了在高溫..07月29日
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MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場(chǎng)效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場(chǎng)效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導(dǎo)體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源及高速信號(hào)切換等應(yīng)用的理想選..07月29日
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**低導(dǎo)通電阻**：MT3287/B采用的工藝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**：得益于其快速的開關(guān)響應(yīng)能力，MT3287/B在高頻應(yīng)用中..07月29日
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場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————06月19日
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供應(yīng)P&N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，本產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)量保證，價(jià)格優(yōu)惠，歡迎訂購(gòu)。05月06日
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Green Device Available Super Low Gate Charge?Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density Trenchtechnology? TheAP2N10 is the high cell density trenched..02月27日
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2SK3568 產(chǎn)品種類: MOSFET 制造商: Toshiba RoHS: 否 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220FP-3 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極..12月11日
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