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勵(lì)磁可控硅模塊

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  • 勵(lì)磁可控硅VHF55-08IO7大連勵(lì)磁可控硅模塊
    晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反..
    11月29日
  • semikron可控硅模塊海西勵(lì)磁可控硅模塊
    換相沖擊電壓包括換相過(guò)電壓和換相振蕩過(guò)電壓。換相過(guò)電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過(guò)電壓。換相過(guò)電壓之后,出現(xiàn)換相振..
    12月10日
  • 可控硅模塊型號(hào)大全德宏勵(lì)磁可控硅模塊
    晶閘管的分類:(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多..
    12月10日
  • ir可控硅模塊滁州勵(lì)磁可控硅模塊
    性價(jià)比高的高壓固態(tài)軟起動(dòng)必須要看的達(dá)標(biāo)要求:起動(dòng)過(guò)程中和運(yùn)行過(guò)程中的噪聲大小。起動(dòng)過(guò)程中和運(yùn)行過(guò)程中耗散功率的大小。起動(dòng)/停車過(guò)程中高次諧波含量。
    12月09日
  • 西門康可控硅模塊臺(tái)州勵(lì)磁可控硅模塊
    眾所周知,晶閘管模塊是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,有的時(shí)候也叫可控硅整流器,以前還被叫做可控硅。晶閘管是由四層PNPN半導(dǎo)體構(gòu)成的,它有著陽(yáng)極、陰極和門極這三個(gè)極組成的。從工業(yè)上來(lái)說(shuō),普通的晶..
    12月09日
  • 可控硅模塊開關(guān)賀州勵(lì)磁可控硅模塊
    晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反..
    12月09日
  • 雙向可控硅模塊銀川勵(lì)磁可控硅模塊
    電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PN..
    12月06日
  • mtc可控硅模塊VGO55-12IO7濟(jì)南勵(lì)磁可控硅模塊
    晶閘管的工作條件:1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。3.晶閘管在導(dǎo)通情況..
    12月03日
  • 可控硅模塊散熱器VHF25-06IO7錦州勵(lì)磁可控硅模塊
    性價(jià)比高的高壓固態(tài)軟起動(dòng)必須要看的達(dá)標(biāo)要求:起動(dòng)額度呢?控制的快速性呢?起動(dòng)裝置的體積和重量呢?.對(duì)使用環(huán)境的適應(yīng)性怎么樣?重復(fù)起動(dòng)時(shí)起動(dòng)性能的是否一致?起動(dòng)和停止方式是否多樣化..
    12月03日
  • 功率可控硅模塊VHFD29-16IO1廣安勵(lì)磁可控硅模塊
    電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PN..
    12月02日
  • 普通可控硅模塊VHF125-12IO7山東勵(lì)磁可控硅模塊
    性價(jià)比高的高壓固態(tài)軟起動(dòng)必須要看的達(dá)標(biāo)要求:起動(dòng)/停車過(guò)程中的平滑性,穩(wěn)定性如何。起動(dòng)/軟停車參數(shù)調(diào)整的方便性。裝置本身以及電動(dòng)機(jī)綜合保護(hù)功能的
    12月02日
  • 晶閘管可控硅模塊綿陽(yáng)勵(lì)磁可控硅模塊
    晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反..
    12月01日
  • 單向可控硅模塊怒江勵(lì)磁可控硅模塊
    眾所周知,晶閘管模塊是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,有的時(shí)候也叫可控硅整流器,以前還被叫做可控硅。晶閘管是由四層PNPN半導(dǎo)體構(gòu)成的,它有著陽(yáng)極、陰極和門極這三個(gè)極組成的。從工業(yè)上來(lái)說(shuō),普通的晶..
    12月01日
  • 雙向可控硅模塊VHF36-08IO5白山勵(lì)磁可控硅模塊
    性價(jià)比高的高壓固態(tài)軟起動(dòng)必須要看的達(dá)標(biāo)要求:.過(guò)負(fù)載能力問(wèn)題。起動(dòng)電流問(wèn)題。起動(dòng)過(guò)程中的大電網(wǎng)電壓降值%。
    11月30日
  • 可控硅模塊型號(hào)VGO55-16IO7宣城勵(lì)磁可控硅模塊
    換相沖擊電壓包括換相過(guò)電壓和換相振蕩過(guò)電壓。換相過(guò)電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過(guò)電壓。換相過(guò)電壓之后,出現(xiàn)換相振..
    11月30日
  • 西門康可控硅模塊VHF85-14IO5拉薩勵(lì)磁可控硅模塊
    晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反..
    11月29日
  • 可控硅模塊觸發(fā)電路南京勵(lì)磁可控硅模塊
    晶閘管的工作條件:1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。3.晶閘管在導(dǎo)通情況..
    11月27日
  • 供應(yīng)可控硅模塊珠海勵(lì)磁可控硅模塊
    晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反..
    11月20日
  • 可控硅模塊接線圖晉中勵(lì)磁可控硅模塊
    眾所周知,晶閘管模塊是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,有的時(shí)候也叫可控硅整流器,以前還被叫做可控硅。晶閘管是由四層PNPN半導(dǎo)體構(gòu)成的,它有著陽(yáng)極、陰極和門極這三個(gè)極組成的。從工業(yè)上來(lái)說(shuō),普通的晶..
    11月20日
  • 可控硅模塊型號(hào)大全貴陽(yáng)勵(lì)磁可控硅模塊
    交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過(guò)電壓例如,交流開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓,這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的&nbs..
    11月20日
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