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高頻功率晶體管

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  • 中國中小功率晶體管市場發(fā)展動態(tài)分析及投資前景預(yù)測報告2023
    面議
    中國中小功率晶體管市場發(fā)展動態(tài)分析及投資前景預(yù)測報告2023-2029年 ≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧【報告編號】: 223831【出版機(jī)構(gòu)】: 【北京中研信息研究所】【出版日期】: 【2023年04月】【報..
    09月28日
  • 中國功率晶體管市場動態(tài)分析及前景發(fā)展規(guī)劃建議報告2020-2025年
    面議
    中國 功率晶體管市場動態(tài)分析及前景發(fā)展規(guī)劃建議報告2020～2025年 ≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤ 節(jié)假日24小時咨詢熱線：139 2163 9537（兼并微信）（隨時來電
    09月28日
  • 晶體管BCP52
    面議
    型號：BCP52 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 產(chǎn)品族：晶體管 FET 類型：P 溝道 電流：1A 電壓：60V 功率：1W 頻率：145MHz 工作溫度：150°C 封裝：SOT223
    09月20日
  • IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE場效應(yīng)功率晶體管
    面議
    深圳市星際金華優(yōu)勢大量原裝出售IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE場效應(yīng)功率晶體管?。?！ 只做原裝 質(zhì)量 現(xiàn)貨營銷 價格優(yōu)惠 歡迎致電咨詢 IPS65R1K5CE： FET 類型 N 溝道 技術(shù) MOSFET（..
    05月19日
  • 收購廠家?guī)齑娲袅先龢O管二極管收購
    10.00元
    歡迎有庫存電子料的商戶前來聯(lián)系，中介有酬金 回收仙童電力半導(dǎo)體 回收 仙童功率晶體管 回收仙童功率模塊 回收仙童IGBT模塊 回收仙童IGBT單管 回收仙童二極管 回收仙童快恢復(fù)二極管
    03月22日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管詳細(xì)介紹
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應(yīng)而設(shè)計，提供數(shù)字預(yù)失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用LD q=3..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管產(chǎn)品特性
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。于頻率從1930 MHz到2000 MHz的基站應(yīng)用。非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。Doh..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管產(chǎn)品應(yīng)用
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。BLC10G19XS-55..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管參考數(shù)據(jù)
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應(yīng)用中的性能 。。。。于頻率從1930 MHz到2000 MHz的基站應(yīng)用。非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。測試電路： ..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管發(fā)射距離
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管功耗
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管規(guī)格參數(shù)
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管功率
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應(yīng)用中的性能 。。。。#BLC10G19XS-551AV..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管應(yīng)用場景
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管接收距離
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應(yīng)用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應(yīng)而設(shè)計，提供數(shù)字預(yù)失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用BLC10G19XS-551A..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管應(yīng)用方向
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保護(hù) 8.有關(guān)RoHS合規(guī)性 #BLC10G19XS-551AVZ#BLC10G19XS-551AVZ；#Ampl..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管電壓
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應(yīng)用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應(yīng)而設(shè)計，提供數(shù)字預(yù)失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用于頻率從1930 MH..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管待機(jī)電流
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性 4.更低的輸出電..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管數(shù)據(jù)手冊
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低..
    09月28日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管代理商
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應(yīng)用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應(yīng)而設(shè)計，提供數(shù)字預(yù)失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用BLC10G19XS-551A..
    09月28日
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