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電源肖特基二極管

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  • B5819WSLSOD-123貼片肖特基二極管
    0.05元
    二極管B5819W參數(shù) 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 PD功率：250mW VRM電壓 ：40V IO電流：1A VF大正向電壓 ：0.9v Test Condition IF(A)電流 ：3A IR大峰值反向電流 ：1uA Test Condition VR電壓:40V trr反..
    09月23日
  • MBR20200CT肖特基二極管TO-220鐵頭封裝ASEMI品牌原裝進(jìn)口
    1.00元
    MBR20200CT 肖特基二極管， ASEMI 品牌進(jìn)口 MBR20200CT 型號(hào)： MBR20200CT 品牌： ASEMI 封裝： TO-220 特性：肖特基二極管 ★電性參數(shù)： 20A ， 200V ★..
    02月27日
  • MBR2045CT肖特基二極管20A45V臺(tái)灣ASEMI品牌TO-220封裝
    1.00元
    <p><span style="font-size:21px">MBR2045CT</span><span style="font-size:21px;font-family:宋體">肖特基二極管，</span><span style=
    02月23日
  • 廣東S13肖特基二極管多少錢(qián)一個(gè)
    面議
    SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)..
    10月02日
  • 上海MBR1645DCLOWVF肖特基二極管
    面議
    肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大..
    10月02日
  • 廣東SR360肖特基二極管廠家直銷(xiāo)
    面議
    SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載..
    10月02日
  • 東莞SBM60L60FCTLOWVF肖特基二極管
    面議
    SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)..
    10月02日
  • 廣東15SQ040肖特基二極管廠家直銷(xiāo)
    面議
    SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..
    10月02日
  • 江蘇SBM60L60DCLOWVF肖特基二極管
    面議
    肖特基二極管作為一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件，在PCB電路設(shè)計(jì)與SMT貼片生產(chǎn)制造中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過(guò)深入了解肖特基二極管的特性、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景，我們可以更好地利用這一器件，提高電路性能..
    10月02日
  • 廣東SSL14A肖特基二極管供應(yīng)商
    面議
    肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..
    10月02日
  • 廣東SS22A肖特基二極管廠家直銷(xiāo)
    面議
    肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..
    10月02日
  • 深圳SBT10L150SCTLOWVF肖特基二極管
    面議
    SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..
    10月02日
  • 上海SBT30L60FCTLOWVF肖特基二極管
    面議
    SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)..
    10月02日
  • 廣東SR860L肖特基二極管多少錢(qián)一個(gè)
    面議
    肖特基二極管封裝肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。1、引線式封裝這種肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對(duì)管（..
    10月02日
  • 安徽SBT30L150FCTLOWVF肖特基二極管
    面議
    肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..
    10月02日
  • 廣州SBT10L150SDCLOWVF肖特基二極管
    面議
    SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..
    10月02日
  • 廣東S510F肖特基二極管聯(lián)系方式
    面議
    SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)..
    10月02日
  • 廣東SS38BF肖特基二極管現(xiàn)貨供應(yīng)
    面議
    SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..
    10月02日
  • 安徽MBR2045CTLOWVF肖特基二極管
    面議
    SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)..
    10月02日
  • 廣東S220肖特基二極管廠家直銷(xiāo)
    面議
    SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載..
    10月02日
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