氮化硅陶瓷球鉆孔<br>

Si3N4的基本物理性能 在常壓下，si3N4沒有熔點，于1870℃左右直接分解氮化硅的熱膨脹系數(shù)低，在陶瓷材料中除Si02(石英)外，Si3N4的熱膨脹系數(shù)幾乎是低的，為2．35×106／K，約為A1203的1／3它的導(dǎo)熱系數(shù)大，為18．4W／(m·K)，同時具有高強度，因此其抗熱震性十分優(yōu)良，僅次于石英和微晶玻璃，熱疲勞性能也很好室溫電阻率為1．1x10“Q·cm，900C時為5．7×106Q·cm，介電常數(shù)為8．3，介電損耗為--0．1<br>

氮化硅極耐高溫，強度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會熔成融體，一直到1900℃才會分解，并有驚人的耐化學(xué)腐蝕性能，能耐幾乎所有的無機酸和30%以下的燒堿溶液，也能耐很多有機酸的腐蝕；同時又是一種電絕緣材料
氮化硅與水幾乎不發(fā)生作用；在濃強酸溶液中緩慢水解生成銨鹽和二氧化硅；易溶于氫氟酸，與稀酸不起作用<br>

燒結(jié)氮化硅,其熱膨脹系數(shù)較低,為2.53×10-6/℃,導(dǎo)熱率為?18.42?W/m·K,因此它具有優(yōu)良的抗熱震性能,僅次于石英和微晶玻璃,有實驗報告說明密度為2500kg/m3的反應(yīng)燒結(jié)氮化硅試樣由1200℃冷卻至20℃熱循環(huán)上千次，仍然不破裂，氮化硅陶瓷的熱穩(wěn)定性好，可在高溫中長期使用<br>

相對分子質(zhì)量140.28，灰色、白色或灰白色<br>

我們知道,耐火材料良好的抗熱震性往往依賴于大量氣孔的存在氣孔一方面能夠容納一定的膨脹變形,緩解了熱應(yīng)力,另一方面氣孔能在主裂紋區(qū)域形成局部的微裂紋網(wǎng),導(dǎo)致的彈性應(yīng)變能局部減小了裂紋穩(wěn)定擴展,從而使材料能經(jīng)受苛刻的熱震考驗?zāi)突鸩牧系陌l(fā)展對致密度和抗熱震性都有較高的 要求,不希望存在氣孔<br>

氮化硅是一種共價化合物，所以原子之間以較強的共價鍵相互結(jié)合，所以它具有很高的硬度及熔點<br>

氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進入常用電介質(zhì)行列<br>

其中梁彎曲法相對簡單，不需要特殊的試樣制備，且測得的彈性模量可以表征涂層的總體性能，而不受涂層相成分的影響 與單面涂層彎曲試樣相比，96:;<==［*］ 認為雙面涂層試樣的測量精度更高<br>
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