氮化硅陶瓷 銅絲輸送<br>

Si3N4陶瓷由于具有高比強(qiáng)、高比模、耐高溫、抗氧化和耐磨損以及抗熱震等優(yōu)點(diǎn),在高溫、高速、強(qiáng)腐蝕介質(zhì)的工作環(huán)境中具有特殊的使用價 值近年來,國內(nèi)外競相對它進(jìn)行研究和開發(fā),使其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大<br>

氮化硅（Si3N4）存在有3種結(jié)晶結(jié)構(gòu)，分別是α、β和γ三相，α和β兩相是Si3N4常出現(xiàn)的型式，且可以在常壓下制備，γ相只有在高壓及高溫下，才能合成得到，它的硬度可達(dá)到35GPa
氮化硅在 600℃以上能使過渡金屬（見過渡元素）氧化物、氧化鉛、氧化鋅和二氧化錫等還原,并放出氧化氮和二氧化氮<br>
比熱容為0.71J/(g·K)，生成熱為-751.57kJ/mol<br>
氮化硅陶瓷表面經(jīng)拋光后，有金屬光澤<br>

事實(shí)上,陶瓷材料中總是不可避免地存在著或大或小數(shù)量不等的微氣孔和微裂紋,熱震條件下出現(xiàn)的裂紋核未必會立即導(dǎo)致材料的破壞在多數(shù)情況下,我們考慮的是材料抵抗裂紋擴(kuò)展的能力,即用斷裂力學(xué)觀點(diǎn)來評價陶瓷材料的抗 熱震性<br>

氮化硅熔點(diǎn)1900℃<br>
比體積電阻，20℃時為1.4×105 ·m,500℃時為4×108 ·m氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標(biāo)的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進(jìn)入常用電介質(zhì)行列<br>

目前常用的斷裂韌性測量方法有雙層懸臂梁試 驗(yàn)、三點(diǎn)彎曲或四點(diǎn)彎曲試驗(yàn)、壓痕試驗(yàn)等Oian 對拉伸方法進(jìn)行了改進(jìn)，通過測量臨界應(yīng)變能量釋放率評價涂層 基體界理論基礎(chǔ) 測量彈性模量的三點(diǎn)彎曲法在測量涂層彈性模量的方法中，以三點(diǎn)彎曲試 驗(yàn)為常用，可以采用雙面涂層試樣和單面涂層試 樣兩種<br>
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