服務(wù)項(xiàng)目 |
鑄錠爐回收 |
面向地區(qū) |
全國(guó) |
為實(shí)現(xiàn)爐子真空脫氣，整個(gè)爐殼做成完全封閉形式，在爐體頂部設(shè)計(jì)了密封法蘭，大氣下熔煉結(jié)束后，用行車(chē)或配備的提升/轉(zhuǎn)動(dòng)裝置（可選）來(lái)移動(dòng)水冷上蓋至爐頂；該水冷上首直接與多級(jí)機(jī)械真空泵系統(tǒng)相連接，可以直接對(duì)金屬熔池進(jìn)行脫氣處理。
感應(yīng)線題配置了功率與頻率相匹配的電源，此電源既可實(shí)現(xiàn)的熔化率（提高生產(chǎn)率）又可實(shí)現(xiàn)液態(tài)金屬的佳攪拌（提高治金質(zhì)量）；恰當(dāng)?shù)臄嚢桀l率既了合金攪拌均勻性，也了翻滾的液態(tài)金屬能充分地晚氣。一旦爐內(nèi)空氣被抽空，脫氣過(guò)程和增強(qiáng)的碳氧反應(yīng)將幫助去除有害的氣體成分，因此氫、氨、氧含量比大氣下所增煉出的金展里含量低很多。脫氣完成后，移開(kāi)爐子上蓋的同時(shí)，在頂部密封法蘭上放置一個(gè)保護(hù)套，然后爐子可以在大氣下傾翻澆鑄鋼液至流槽或綻模中，通常澆鑄過(guò)程在大氣下完成（也可在保護(hù)氣氛下澆鑄）。
在傳統(tǒng)鑄錠過(guò)程中，石英坩堝底部易形成大量晶核，難以長(zhǎng)出大晶粒，使硅錠內(nèi)部存在大量晶界，易造成雜質(zhì)偏聚或沉淀，成為光生載流子強(qiáng)復(fù)合中心，降低電池的光電轉(zhuǎn)換效率。類(lèi)單晶鑄錠技術(shù)兼具單晶高轉(zhuǎn)換效率和多晶低成本的優(yōu)點(diǎn)，成為目前業(yè)界具競(jìng)爭(zhēng)力的新型鑄錠技術(shù)之一。
類(lèi)單晶硅制備一般采用常規(guī)多晶硅鑄錠爐，鑄錠時(shí)在石英坩堝底部鋪一層籽晶，誘導(dǎo)晶體定向結(jié)晶，長(zhǎng)出晶向一致的大晶粒硅錠。但是當(dāng)前常用的類(lèi)單晶鑄錠爐具有以下缺點(diǎn)I)傳統(tǒng)加熱裝置采用單電源系統(tǒng)控制頂、側(cè)加熱器，輸出功率同步，無(wú)法調(diào)節(jié)頂、側(cè)加熱器的功率配比，使熱場(chǎng)分布難以控制，以致長(zhǎng)晶階段側(cè)面熱量輸入較多，生長(zhǎng)界面中心明顯，無(wú)法獲得理想的固液界面和較優(yōu)化的晶體生長(zhǎng)條件；2)
