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WNMD2171-4/TR_鋰離子電池保護(hù)電路MOSFET

更新時(shí)間:2021-08-30 [舉報(bào)]
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WNMD2171雙N溝道,20V,6.0A,功率MOSFET

產(chǎn)品描述:
WNMD2171是雙N溝道增強(qiáng)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和連接上的漏極不需要電路板,因?yàn)镸OSFET1和MOSFET2內(nèi)部連接。
采用的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)提供的RSS(ON)與低門電荷。
此設(shè)備是專為鋰離子電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)。
這個(gè)WNMD2171有CSP-4L包裝。
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNMD2171無鉛無鹵。

產(chǎn)品特征:
溝槽技術(shù)
密度電池設(shè)計(jì)
的導(dǎo)通電阻
極低閾值電壓
CSP-4L封裝MOS管

產(chǎn)品應(yīng)用:
鋰離子電池保護(hù)電路</a>
標(biāo)簽:WNMD2171MOSFET
深圳市立深鑫電子有限公司
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