半導體IC制程主要以20世紀50年代以后發(fā)明的四項基礎工藝（離子注入、擴散、外延生長及光刻）為基礎逐漸發(fā)展起來，由于集成電路內各元件及連線相當微細，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外，集成電路制造步驟如高溫擴散、離子植入前等均需要進行濕法清洗或干法清洗工作。干、濕法清洗工作是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機物之雜質。

PTFE材料具有固體材料中小的表面張力，不粘附任何物質，同時還具有耐高低溫優(yōu)良的特性，從而使其在諸如制造不粘鍋的防粘方面的應用非常廣泛。其防粘工藝主要包括兩種：把PTFE部件或薄片安裝在基體上，以及把PTFE涂層或與玻璃復合的漆布經過熱收縮而套在基材上。

滑動部件的密封使用PTFE填料,可以獲得良好的耐腐蝕穩(wěn)定性, 而且它具有一定壓縮性回彈性、滑動時阻力小。填充PTFE密封材料使用溫度范圍廣泛, 是目前傳統(tǒng)石棉墊片材料的主要替代物, 更兼有高模量、高強度、抗蠕變、耐疲勞、以及導熱率高、熱膨脹系數(shù)和摩擦系數(shù)小等性能,加入不同的填充料更可擴大應用范圍。