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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。江南電力光伏科技有限，引進(jìn)消化吸收國外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長爐設(shè)備有兩大系列三個品種，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。

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全文摘要為減少直拉式單晶生長爐的消耗的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種直拉式單晶生長爐，其包括輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器；其特征在于經(jīng)輸入管輸入的氣壓為0.8×10³Pa0.9×10³Pa，流量為30L/min。還包括設(shè)于坩堝支持器下方和排氣口之間的碗形氣流導(dǎo)向裝置；其包括中軸孔、一對電極孔、以及與排氣口相對的通氣孔；石墨中軸穿過所述氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔，所述電極柱分別穿過所述電極孔，排氣口與氣流導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通，氣流導(dǎo)向裝置的上端部設(shè)于保溫筒與發(fā)熱體之間。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，電氣特點(diǎn)(1)本系統(tǒng)采用PLC，工業(yè)彩色觸摸屏，因此系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，具有用電省, 發(fā)熱小的特點(diǎn)。系統(tǒng)可靠性很高，不會死機(jī)。同時觸摸屏和PLC間工作，連接僅僅使用1根通訊線即可。(2) 控制軟件、系統(tǒng)能按照工藝員寫入的工藝文件，進(jìn)行半自動拉晶，可以在顯示器上修改，立即生效，操作方便。自動工藝可以單步執(zhí)行也可以連續(xù)自動流程。在溫度閉環(huán)上增加功率限制，信號故障判斷診斷功能，可以排除觀察孔污染，信號被干擾，加熱電源故障，加熱器短路，加熱器電阻突變，人工輸入失誤等錯誤。(3) 工作站監(jiān)控系統(tǒng)、本系統(tǒng)還配置有工作站監(jiān)控系統(tǒng)，用一臺PC機(jī)可同時監(jiān)控8臺單晶爐，采用RS422高速通訊，光電隔離，可靠性高。