近年來，國內晶圓升降機構的發(fā)展也很迅速。一些較早投入應用的晶圓傳輸機構。前端支持品圓機械手爪隨滑塊在導軌內上下運動，由直流電機驅動，該機構升降行程較小、精度低，速度慢，缺少晶圓保護裝置。另外交接晶圓過程中，吸附系統(tǒng)使晶圓中間變形，定位精度低，開環(huán)控制易造成晶圓竄動和損壞，同時對驅動電機造成沖擊。

晶圓升降機構中的真空吸附系統(tǒng)是用來吸附和釋放品圓，從而進行晶圓的檢測和傳輸，以便實現傳輸的。機構要求晶圓定位精度高，真空吸附系統(tǒng)在吸附和釋放晶圓過程中盡量減小沖擊，要求吸附的時候應當緩慢地增加或減小真空壓力，使得壓力變化為斜坡變化，大限度減小晶圓在真空吸附下精度的損失。

晶圓升降系統(tǒng)是半導體制造中重要的工藝設備之一，常規(guī)的晶圓升降系統(tǒng)通常有兩種：其中一種晶圓升降系統(tǒng)包括：頂針、靜電吸盤、組合支架及三個升降氣缸，所述頂針通過所述組合支架固定在所述升降氣缸上，當所述頂針托載晶圓時，所述升降氣缸可以控制組合支架及托載晶圓的所述頂針相對靜電吸盤上升或者下降一定的高度。但是，當組合支架使用時間過長時容易損壞，導致頂針，下降的高度不夠，使得頂針與晶圓的背面的間距過小，進而導致晶圓上累積的電荷在該頂針區(qū)域局部放電起輝造成放電，從而導致晶圓良率損失。

另一種晶圓升降系統(tǒng)包括三個頂針、靜電吸盤及三個升降氣缸，一個升降氣缸控制一個頂針的升降，采用該裝置進行晶圓升降時發(fā)現，由于頂針的上升受升降氣缸壓力波動的影響，導致三個頂針的下降高度存在差異，使得其中某個頂針與晶圓的背面的間距過小，進而導致晶圓上累積的電荷在該頂針區(qū)域局部放電起輝造成放電，從而導致晶圓良率損失。

自動化的下一個水平是加載和卸載品圓。業(yè)界己經將晶圓片匣確立為主要的晶圓承載體和傳輸體。片匣通過多種機械原理被放置在機器、升降機和/或晶圓抽取器上，或機械手將晶圓輸送到特定的工藝室、旋轉卡盤。在某些工藝中，如一些工藝反應管，整個片匣都放在工藝反應室中。這一水平的自動化稱為“單按鈕”操作c通過一個按鈕，操作員激活加載系統(tǒng)，晶圓被加工然后再回到片匣中。在工藝周期的后，機器發(fā)出警報聲或點亮指示燈，操作員再將片匣移走。

有些機器具有緩沖存放系統(tǒng)，使工藝過程總可以有新的晶圓準備被加工（或給圖形化設備的放大掩模版），從而使機器的效率大化。這些稱為儲料器。操作員將片匣放在機器的上載器上，按下開始鍵，然后的工藝過程就交給機器來做。在300mm晶圓的水平，片匣可能會被一個單的晶圓承載器或輸運器所替代。

隨著制造工藝的進步，所加工的硅片直徑越來越大，而器件特征尺寸在不斷縮小，單位面積上能夠容納的集成電路數量劇增，成品率顯著提高，單位產品的成本大幅度降低，可靠性等性能指標顯著提升，促進了大生產的規(guī)?；?。