傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒結(jié)技術(shù)是一種新型的高可靠性連接技術(shù)，在功率模塊封裝中的應(yīng)用受到越來越多的關(guān)注。

有壓銀燒結(jié)AS9385是一種新型的高可靠芯片粘接和鍵合技術(shù)，可確保無空隙和高強(qiáng)度鍵合，并具有的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。 該技術(shù)可以將器件的結(jié)溫 (Tj) 低降至150℃。

SHAREX的AS9385銀燒結(jié)技術(shù)也被成為低溫連接技術(shù)（Low temperature joining technique,LTJT），作為一種新型無鉛化芯片互連技術(shù)，AS9385燒結(jié)銀可在低溫（＜250℃）條件下獲得耐高溫（＞700℃）和高導(dǎo)熱率（~240 W/m·K）的燒結(jié)銀芯片連接界面，具有以下幾方面優(yōu)勢：

①燒結(jié)連接層成分為銀，具有的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能；②由于銀的熔點高達(dá)（961℃），將不會產(chǎn)生熔點小于300℃的軟釬焊連接層中出現(xiàn)的典型疲勞效應(yīng)，具有的可靠性；

③AS9385所用納米銀材料具有和傳統(tǒng)軟釬焊料相近的燒結(jié)溫度；④燒結(jié)材料不含鉛，屬于環(huán)境友好型材料，并且避免清洗的過程，節(jié)省了時間，降低了成本。

2.銀燒結(jié)技術(shù)原理
AS9385銀燒結(jié)技術(shù)是一種對微米級及以下的銀顆粒在250℃以下進(jìn)行燒結(jié)，通過原子間的擴(kuò)散從而實現(xiàn)良好連接的技術(shù)。所用的燒結(jié)材料的基本成分是銀顆粒，根據(jù)狀態(tài)不同，燒結(jié)材料一般為燒結(jié)銀膏工藝為：AS9385燒結(jié)銀膏印刷印刷——預(yù)熱烘烤——芯片貼片——加壓燒結(jié)；