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所述氣流導向裝置20的中軸孔2-1與該爐的石墨中軸21活 動密封連接，以防止因該中軸孔2-1與石墨中軸21之間的間隙而漏氣，影 響排氣效果，氣流導向裝置20的電極孔2-2分別與該爐的電極柱15密封連 接，以防止因該電極孔2-2與電極柱15之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的保溫 筒17密封連接，以防止因氣流導向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的 保溫筒17之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導向裝置20各通氣孔2-3與該爐的排氣口 13通過通 氣管19相連通，以提高排氣效果。所述氣流導向裝置20由石墨制成，石墨具有強度高、抗熱震性好、耐 高溫、抗氧化、電阻系數(shù)小、耐腐蝕、易于精密機加工等優(yōu)點。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶硅生長爐設備附件回收種類\二手單晶爐回收利用、電鍍設備、光伏產品設備、補償柜、電容柜回收、整流柜、水冷電纜、電源柜、單晶爐配套系統(tǒng)，單晶爐連接水電纜，單晶爐輸配電設備干式電阻爐變壓器、電弧爐變壓器、感應爐變壓器、電容式變壓器，電子元器件， 施耐德斷路器, 梅蘭日蘭斷路器。

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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單，容易實現(xiàn)自動控制，生產，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶。據統(tǒng)計，世界上硅單晶的產量中70％～80％是用直拉法生產的。目前晶體生長設備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限，引進消化吸收國外技術研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產品——太陽能光伏發(fā)電站和風力發(fā)電站的相關設備。其中硅單晶生長爐設備有兩大系列三個品種，具有自主知識產權。生產的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產權，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。