回收廠處理壽終正寢的“晶體硅”光伏板。典型的晶體硅太陽(yáng)能電池板由65-75%的玻璃、10-15%的鋁制框架、10%的塑料和3-5%的硅制成。為了提率和安全性，回收廠使用自動(dòng)機(jī)器人來(lái)完成太陽(yáng)能電池板的拆解與分揀工作。

硅是元素半導(dǎo)體。電活性雜質(zhì)磷和硼在合格半導(dǎo)體和多晶硅中應(yīng)分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時(shí)要摻入一定量的電活性雜質(zhì)，以獲得所要求的導(dǎo)電類型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質(zhì)，它們的存在會(huì)使PN結(jié)性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認(rèn)為是低碳單晶。碳含量超過(guò)3ppm時(shí)其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內(nèi)；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。

生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對(duì)位錯(cuò)密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯(cuò)排、星形結(jié)構(gòu)等缺陷存在。位錯(cuò)密度低于 200/厘米2者稱為無(wú)位錯(cuò)單晶，無(wú)位錯(cuò)硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無(wú)位錯(cuò)硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團(tuán)、自間隙原子團(tuán)、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱為旋渦缺陷。熱加工過(guò)程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。