泰州海陵真空流量計(jì)回收 泰州海陵真空爐回收
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排氣筒與排氣口相通。上盤(pán)的幾個(gè)圓孔是除塵區(qū)域和排氣區(qū)域通道。含塵氣流未從上盤(pán)12 個(gè)圓孔排出去之前，實(shí)際的氣流運(yùn)動(dòng)是很復(fù)雜的。除切向和軸向運(yùn)動(dòng)外還有徑向運(yùn)動(dòng)。這樣含塵氣流會(huì)反復(fù)經(jīng)過(guò)金屬網(wǎng)(支撐內(nèi)、外層金屬網(wǎng)的金屬桿相互錯(cuò)列，很明顯能夠增加氣流穿過(guò)金屬網(wǎng)的次數(shù))。前文已詳細(xì)論過(guò)除塵機(jī)理,很容易看出慣性碰撞、接觸阻留、篩濾作用、擴(kuò)散在這時(shí)將成為除塵的主要作用力。塵粒與氣流分離界面是內(nèi)、外兩層金屬網(wǎng)(包括上盤(pán)在內(nèi))。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長(zhǎng)晶爐回收，多晶長(zhǎng)晶爐回收，臥式長(zhǎng)晶爐回收，拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長(zhǎng)方法，用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。江南電力光伏科技有限，引進(jìn)消化吸收國(guó)外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽(yáng)能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長(zhǎng)爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長(zhǎng)爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長(zhǎng)爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長(zhǎng)P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)單晶硅棒。

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全文摘要為減少直拉式單晶生長(zhǎng)爐的消耗的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其包括輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器；其特征在于經(jīng)輸入管輸入的氣壓為0.8×10³Pa0.9×10³Pa，流量為30L/min。還包括設(shè)于坩堝支持器下方和排氣口之間的碗形氣流導(dǎo)向裝置；其包括中軸孔、一對(duì)電極孔、以及與排氣口相對(duì)的通氣孔；石墨中軸穿過(guò)所述氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔，所述電極柱分別穿過(guò)所述電極孔，排氣口與氣流導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通，氣流導(dǎo)向裝置的上端部設(shè)于保溫筒與發(fā)熱體之間。