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每個電子元器件制造生產(chǎn)企業(yè)都會存在電子呆料、廢料的情況,如何處理比較合理?從以往的電子呆料處理市場反饋來說,大部分企業(yè)都有自己長期的處理渠道,一般來說就是有固定的3個左右回收商合作,但是也有弊端,因為封閉性導(dǎo)致沒有市場數(shù)據(jù)參入,廠家會覺得價格賣得低,回收商會覺得價格收得高,都是想著能利潤。
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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo), 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
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芯片在使用過程中,電子在不停撞擊著金屬銅,把它推向一側(cè),另導(dǎo)線斷裂。熱載流子會撞擊柵極氧化層,令其損壞,導(dǎo)致器件失效,即所謂的HCI。在高溫下,介電層會慢慢的失效,導(dǎo)致本來隔離的兩個部分之間發(fā)生短路,所謂的TDDB。也就是說芯片也是有壽命的,芯片就是會壞的。
三極管回收
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關(guān)。
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié),兩個PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū),排列方式有PNP和NPN兩種。