ALD(原子層沉積)是一種將氮化膜或氧化膜以單原子膜的形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒ā?/p>

通過這種方法可以對(duì)10nm厚度薄膜進(jìn)行安定的生產(chǎn)。

作為其材料,使用與氧化劑有著高反應(yīng),例如金屬醇這種通過自身的熱分解,不易產(chǎn)生氧化膜的物質(zhì)是適合的。

氮化膜適用于柵極絕緣膜及阻擋膜的成膜,一般使用金屬酰胺,酰亞胺,金屬氯化物。

金屬酰胺的化學(xué)式為M-NR1R2,金屬酰亞胺為M=NR,金屬氯化物則是化學(xué)式為MCIx的化合物。

一般常用的有TEMAZ,TDMAH,TBTEMT,ZrCl4,WCl6,AlCl3