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嘉興平湖控制柜回收嘉興平湖多晶硅鑄錠爐回收

更新時(shí)間:2025-09-25 [舉報(bào)]
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穿過所疼氣流導(dǎo)向裝置(20) 的中軸孔(2-1),該爐的一對(duì)電極柱(15)分別穿過所述電極孔(2-2), 該爐的排氣口 (13)與氣流導(dǎo)向裝置(20)的各通氣孔(2-3)相連通,氣 流導(dǎo)向裝置(20)的上端部(2-4)設(shè)于該爐的保溫筒(17)與發(fā)熱體(16) 之間。3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的直拉式單晶生長爐,其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)的中軸孔(2-1)與該爐的石墨中軸(21)活動(dòng)密封連接。4、 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的直拉式單晶生長爐,其特征在于所述 氣流導(dǎo)向裝置(20 )的電極孔(2-2 )分別與該爐的電極柱(15 )密封連接。5、
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直拉法,也叫切克勞斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法,用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單,容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制,生產(chǎn),易于制備大直徑單晶,容易控制單晶中雜質(zhì)濃度,可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì),世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%~80%是用直拉法生產(chǎn)的。江南電力光伏科技有限,引進(jìn)消化吸收國外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種,具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長爐(TDR85/95/105-JN)單晶硅生長爐(TDR85/95/105-JN)DR—JN系列全自動(dòng)晶體生長爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg~150Kg,可拉制6"~12"電路級(jí)和太陽能級(jí)單晶硅棒。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計(jì)回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,發(fā)明內(nèi)容、本發(fā)明的目的是提供一種易于及時(shí)排出爐內(nèi)的混合氣體,且可減少熱 能及消耗的直拉式單晶生長爐。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是提供一種直拉式單晶生長爐,其包括 輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器;其特征在于經(jīng)氬 氣輸入管輸入的氣壓為0. 8xl0a0. 9xl0a,流量為 30L/min。上述技術(shù)方案中,還包括設(shè)于直拉式單晶生長爐的坩堝支持器下方和 該爐底部的排氣口之間的氣流導(dǎo)向裝置;該氣流導(dǎo)向裝置為碗形,其包括 設(shè)于氣流導(dǎo)向裝置底部的中軸孔、設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)的 一對(duì)電極孔、 以及設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)并與該爐的排氣口相對(duì)的通氣孔;該爐的石墨中 軸穿過所述氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔,該爐的 一對(duì)電極柱分別穿過所述電極 孔,該爐的排氣口與氣流導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通,氣流導(dǎo)向裝置的上 端部設(shè)于該爐的保溫筒與發(fā)熱體之間。

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