穩(wěn)定性氧化鋯
外　　觀： 白色粉末
性　　質(zhì)： 、無(wú)味，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，熱導(dǎo)率低，耐熱沖擊性好。
用　　途： 適用于制造各類機(jī)械部件、切削工具、、結(jié)構(gòu)陶瓷、電子陶瓷、生物陶瓷、耐火材料、光通訊器件、氧傳感器、固體氧燃料電池等。

磁控濺射鍍膜靶材：
金屬鋯濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，化鉛靶材(PbAs)，化銦靶材(InAs)。
高純高密度濺射靶材有：
濺射靶材（純度：99.9%-99.999%）

磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設(shè)備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

鋯換熱器產(chǎn)品介紹:
現(xiàn)在的搪瓷釜由于介質(zhì)的腐蝕性、反應(yīng)條件忽冷忽熱等問(wèn)題，總會(huì)出現(xiàn)這樣那樣的搪瓷層損壞。一旦出現(xiàn)爆瓷現(xiàn)象,搪瓷面的損壞會(huì)迅速擴(kuò)大，繁瑣的修補(bǔ),停產(chǎn),安全事故及環(huán)境污染等不可預(yù)計(jì)的損失一直困擾著國(guó)內(nèi)眾多化工企業(yè).
取代搪瓷釜的金屬鋯盤管換熱器,解決化工行業(yè)所使用的搪瓷釜爆瓷,搪瓷面的損壞，不易修復(fù)(或者修復(fù)成本高)而報(bào)廢的成本問(wèn)題.由于金屬鋯材優(yōu)良的導(dǎo)熱性和強(qiáng)耐腐蝕性,在加熱,冷卻兩道工序上有效的縮短了生產(chǎn)時(shí)間,并且它特有的強(qiáng)耐腐蝕性這一特點(diǎn),從而了生產(chǎn)中不被各種工況的腐蝕性所腐蝕的要求,在生產(chǎn)旺季為生產(chǎn)出貨,創(chuàng)造了寶貴的時(shí)間,并且提高了產(chǎn)量,真正實(shí)現(xiàn)換熱設(shè)備零維護(hù).
本產(chǎn)品已經(jīng)在國(guó)內(nèi),外大型農(nóng)藥化工,醫(yī)藥化工,石化等行業(yè)投入使用,反應(yīng)良好,歡迎有此需求,有此困擾的客戶來(lái)電咨詢,洽談,我公司將在時(shí)間回復(fù),配合.給予設(shè)備,技術(shù)上的支持.

磁控濺射靶材：鋯靶，鉿靶
磁控濺射靶材種類：
金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），化鉛靶材（PbAs），化銦靶材（InAs）。 [2]


磁控濺射原理：
在被濺射的靶極（陰極）與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還可進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。

我們?cè)诙喾N農(nóng)藥設(shè)備上進(jìn)行過(guò)工業(yè)鋯的應(yīng)用研究，如在農(nóng)藥反應(yīng)罐中進(jìn)行了鋯的實(shí)際應(yīng)用與掛片試驗(yàn)。農(nóng)藥水解反應(yīng)的條件為：20%硫酸+甲萘胺；溫度220-250℃；15個(gè)大氣壓（1520kPa)，一個(gè)流程時(shí)間為7h，在此條件下設(shè)備腐蝕嚴(yán)重，1mm厚普通鋼板，反應(yīng)后即腐蝕穿孔。原采用罐內(nèi)搪12- 14mm厚的鉛層為防腐層，則易污染環(huán)境，鉛的抗腐蝕也較差，一個(gè)搪鉛反應(yīng)罐，僅能使用50-60批料即穿孔漏液。鋯掛片試驗(yàn)條件為：生產(chǎn)介質(zhì)20%硫酸+甲萘胺；生產(chǎn)200-250℃；壓力14-15個(gè)大氣（1419- 1520kPa)。結(jié)果表明，隨時(shí)間增加，鋯母材與焊縫區(qū)氧含量稍有增加，但增加速度較緩，對(duì)鋯的力學(xué)性能未引起惡化。而氫含量卻在這種介質(zhì)腐蝕中逐漸下降，可減少脆性，對(duì)鋯有利，年腐蝕率僅為 0.024-0.04mm/a。