可控硅調(diào)光器是業(yè)內(nèi)LED照明主流的受歡迎的一種傳統(tǒng)調(diào)光方式。該調(diào)光具有簡單便捷、易于安裝等多項優(yōu)點，所以在家居照明和工程項目中，比較受到歡迎?？煽毓枵{(diào)光器，一直以來市面上很多種工廠在生產(chǎn)，雖然品質(zhì)良莠不齊，各有千秋。但帶控制的，幾乎沒有；旋紐2.4G遙控一體可控硅調(diào)光器上市，可以說是填補了這一項空白，使得可控硅調(diào)光應用起來更加科技化、智能化。
旋紐2.4G遙控一體可控硅調(diào)光器，具有三重優(yōu)勢特點：
一、該產(chǎn)品可以全電壓使用，85-265Vac輸入范圍，適用于全球任何地方；
二、支持旋紐、2.4G遙控兩種控制方式，調(diào)光流暢，方便實用，一舉兩得，輕松實現(xiàn)你想要的調(diào)光效果，大便終端客戶使用選擇；
三、2.4G遙控調(diào)光的多樣化，2.4G遙控面板，擁有多項功能選項，既可實現(xiàn)由0到100隨心所調(diào)，又提供有15%、25%、50%、75%、全亮五種階段調(diào)光選項，此外還可以按客戶要求定制不同檔位亮度比，真心服務客戶，為客戶所想！

可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等；
可控硅的主要參數(shù)有：
1、 額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值；
4、 觸發(fā)電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。

鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）；
控制極與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小、、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。

可控硅使用的10條要知道的規(guī)則:
1、為了導通閘流管（或雙向可控硅），有門極電流≧IGT ，直至負載電流達到≧IL 。這條件滿足，并按可能遇到的低溫度考慮；
2、要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負載電流 間，使能回復至截止狀態(tài)。在可能的高運行溫度下滿足上述條件；
3、設計雙向可控硅觸發(fā)電路時，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-，+）；
4、為減少雜波吸收，門極連線長度降至低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H 系列低靈敏度雙向可控硅；
5、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問題，在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問題，加入一幾mH 的電感和負載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com 雙向可控硅；
6、假如雙向可控硅的VDRM 在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：
負載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感，以限制dIT/dt；
用MOV 跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路；
7、選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以較大限度提高雙向可控硅的dIT/dt 承受能力；
8、若雙向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，負載上串聯(lián)一個幾μH 的無鐵芯電感或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通；
9、器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)；
10、為了長期可靠工作，應Rth j-a 足夠低，維持Tj 不Tjmax ,其值相應于可能的較高環(huán)境溫度。

可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產(chǎn)品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關等。

可控硅使用注意事項：
1、外加電壓極性要正確，即陽極到陰極之間加正向電壓，控制極到陰極之間也加正向電壓；
2、為了可控硅安全工作，應選擇額定耐壓為實際工作電壓的2~3倍，正向平均電流為實際工作電流的1.5~@倍的管子；
3、為了可控硅可靠地導通．應盡量用大的觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流，因眺電壓、電流較大可以相應降低可控硅的轉(zhuǎn)折導通電壓。比如額定觸發(fā)電壓為2.5V的，可使用4.5V以上的電壓，但為防止PN結(jié)燒毀．—般以不超過10V為好；
4、焊接或緊固可控硅時，電氣接觸良好，否則因側(cè)啪接觸電阻就會引起很大的功率消耗；
5、可控硅的保護方法：一是散熱，可控硅是大功率器件，散熱是一個的問題，規(guī)定20A以下的可控硅靠自身散熱器自然散熱，20A以上的大電流可控硅則強迫冷卻，其方法有風冷和水冷散熱。二是過流保護，雖然在選擇可控硅時已留有余量，但也可能出現(xiàn)超過額定值的情況，為此可在可控硅陽極或陰極串聯(lián)一個熔斷器，應選快速熔斷器，如RSL、RSO、RSS等型號；
6、可控硅損壞后的修理：如果是可控硅性能變壞引起誤導通，造成電器工作時好時壞，只要確認其它元件無問題，則可暫時拆去可控硅不用，待買到同型號可控硅時再捍上使用；根據(jù)可控硅的結(jié)構(gòu)特點和原理，可用合適參數(shù)的三極管組成復合管代用；可以選擇同型號或相同參數(shù)(正反向重復峰值電壓、額定正向平均電壓、控制極觸發(fā)電壓和電流)的可控硅代換，各種型號的進口可控硅均可用國產(chǎn)可控硅代換，代換時要注意外形尺寸相近，以便安裝。