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廈門光刻膠 美國光刻膠
在干法刻蝕中，950PMMA與SiO2的刻蝕選擇比約為?1:1?，表明其對等離子體刻蝕的耐受性中等
相比普通PMMA光刻膠，950系列通過配方優(yōu)化提升了抗刻蝕性，可耐受部分濕法刻蝕工藝（如金屬剝離）
顯影液推薦?MIBK混合溶液?，顯影時間通常為20-60秒，后烘條件建議90-120℃熱板烘烤1-2分鐘
國產(chǎn)光刻膠雙層Lift-off底層膠CJ2350
國產(chǎn)光刻膠單層Lift-off負性光刻膠CJ2245
國產(chǎn)光刻膠單層Lift-off正性光刻膠CJ2153
國產(chǎn)光刻膠耐高溫300℃正性光刻膠CJ2139
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13394069946
國產(chǎn)光刻膠耐酸堿保護膠CJ7130
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國產(chǎn)光刻膠光敏性聚酰亞胺正性光刻膠CJ6120
國產(chǎn)光刻膠非光敏型聚酰亞胺保護膠CJ7120
國產(chǎn)光刻膠高分辨率電子束負性光刻膠CJ3260
國產(chǎn)光刻膠分辨率電子束正性光刻膠CJ3300
國產(chǎn)光刻膠PMMA電子束正性光刻膠CJ3110
